CIS，接觸式圖像傳感器于八十年代末應(yīng)運而生，它是由CMOS工藝制作的傳感器IC組成陣列，陣列的長度與原稿相同，光路由CIS本體決定，具有體積小、光路短等特點，組成的系統(tǒng)體積也小，而且安裝簡單，不需要調(diào)整光路，解決了圖像光學(xué)信號均勻性和部件體積問題，便于實現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。圖像傳感器根據(jù)元件不同分為CCD、CMOS、CIS。
CCD圖像傳感器的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真，透過每一個像素集合至單一放大器上再做統(tǒng)一處理，可以保持資料的完整性；CMOS沒有專屬通道的設(shè)計，因此先行放大再整合各個像素的資料。 整體來說，CCD 與 CMOS 兩種設(shè)計的應(yīng)用，反應(yīng)在成像效果上，形成包括感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等方面的差異，具體表現(xiàn)在：
1.感光度差異：由于 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路，過多的額外設(shè)備壓縮單一像素的感光區(qū)域的表面積，因此，相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低于CCD。
2.噪點差異：由于CMOS每個感光二極體搭配一個 ADC 放大器，如果以百萬像素計，那么就需要百萬個以上的 ADC 放大器，雖然是統(tǒng)一制造下的產(chǎn)品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達(dá)到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS計算出的噪點就比較多。
3.解析度差異： CMOS 每個像素的結(jié)構(gòu)比 CCD 復(fù)雜，其感光開口不及CCD大， 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優(yōu)于CMOS。但是目前業(yè)界的CMOS 感光原件已經(jīng)可達(dá)到1400萬像素 / 全片幅的設(shè)計，CMOS 技術(shù)在量率上的優(yōu)勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難。
4.成本差異：CMOS 應(yīng)用可以一次整合全部周邊設(shè)施于單晶片中，節(jié)省加工晶片所需負(fù)擔(dān)的成本 和良率的損失;相對于 CCD 采用電荷傳遞的方式輸出信號，須另辟傳輸通道，如果通道中有一個像素故障，就會導(dǎo)致信號無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，再加上專屬傳輸通道設(shè)計，CCD的制造成本相對高于CMOS。
5.耗電量差異：CMOS的影像電荷驅(qū)動方式為主動式，感光二極體所產(chǎn)生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式， 須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于CMOS。
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